根据双方签署的合作协议，ASML将为三星定制化研发适配DRAM制程的High-NA EUV光刻设备，优化设备光源功率、光刻精度与运行稳定性，针对性解决高端存储电路高密度布线、多层堆叠电路干扰、存储单元漏电等技术痛点。同时，双方将联合搭建技术研发实验室，聚焦下一代10nm以下DRAM精密电路、3D堆叠存储电路的工艺研发，同步推进高端光罩、精密检测设备的协同研发，构建自主可控的先进存储电路量产体系。三星计划通过该技术迭代，将新一代DRAM芯片的电路集成度提升40%，单颗芯片存储容量翻倍，运行功耗降低25%，全面适配AI服务器、高性能终端的高速存储需求。