2026年9月，全球半导体与电子电路制造领域迎来重大技术突破，英特尔官方正式宣布，其搭载高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术的晶圆生产线累计处理晶圆数量突破100万片，该项产能数据已超越全球其他同业厂商同类工艺产能总和，标志着下一代先进电子电路制造技术正式从实验室研发阶段迈入规模化商用落地阶段，为2nm及以下超精密电路制程迭代筑牢核心技术底座。作为电子电路制造的核心光刻工艺，EUV技术是制约高端芯片、精密集成电路量产的关键瓶颈，而High-NA EUV相较于传统EUV，在分辨率、制程精度、电路布线密度上实现跨越式提升，能够有效解决先进制程下电路线宽过窄、寄生电容干扰、良率偏低等行业共性难题。