宽禁带功率电路投资热潮，瑞典 SweGaN 完成 1400 万美元 B 轮融资，GaN 射频电路产业化提速

2026 年 8 月，瑞典宽禁带半导体企业 SweGaN AB 宣布完成 1400 万美元 B 轮融资，本轮融资由瑞典本土投资机构领投，原有股东持续加码。资金将用于扩大氮化镓（GaN）外延片产能，推进射频 GaN 器件与配套微波电路开发，面向 5G 基站、卫星通信、雷达、数据中心电源等市场。本次融资是欧洲第三代半导体与功率电子电路赛道的重要事件，标志全球 GaN 射频电路商业化进程持续提速。

GaN 氮化镓属于宽禁带半导体材料，相比传统硅基器件，具备更高开关频率、更高击穿电压、更小体积，在高频射频、高频电源电路领域具备巨大优势。射频 GaN 电路是卫星通信、基站相控阵雷达的核心硬件，相控阵天线内部包含大量 GaN 功放电路，对 PCB 板材损耗、阻抗一致性、散热设计要求严苛，必须选用低损耗高频材料，电路布局需要精密电磁仿真。随着全球 6G 预研、低轨卫星互联网大规模建设，射频 GaN 器件与微波电路需求进入快速增长通道。

SweGaN 专注 GaN 外延材料技术，外延片是制造 GaN 器件的底层衬底材料，直接决定器件性能、良率与成本。公司在本轮融资公告中提到，将扩大 6 英寸 GaN 外延产线，同步和欧洲多家电路设计、PCB 制造企业建立联合实验室，开发一体化射频功放模组。模组把 GaN 芯片、匹配电路、无源器件、散热基板集成，减少分立器件焊接带来的寄生参数，提升射频电路稳定性。过去射频 GaN 供应链高度集中在美国企业手中，欧洲希望依靠本土企业建立独立材料、器件、电路模组产业链，降低对外依赖。

放眼全球市场，GaN 电路分为两大方向：射频 GaN 和电源 GaN。电源 GaN 更多应用在快充、服务器电源、工业电源，目前商业化进度更快，中国、美国、日本多家厂商已经大规模出货；射频 GaN 技术门槛更高，长期由美国厂商主导。近年来欧洲、亚洲企业持续投入研发，逐步实现产品突破，在卫星通信、地面基站市场开始小规模导入。相控阵卫星天线需要上千路独立射频放大电路，单套系统电路价值很高，市场空间广阔。

配套电子电路层面，高频微波 PCB 是 GaN 射频器件不可或缺载体。普通 FR4 板材无法满足高频低损耗需求，需要 PTFE、碳氢树脂等特种高频覆铜板。这类材料价格昂贵，加工难度大，钻孔、表面处理工艺和普通 PCB 差异很大，全球能够稳定量产高频微波电路板的厂商数量有限。随着 GaN 射频器件放量，全球高频特种覆铜板厂商也在同步扩产，调整材料配方，进一步降低介电损耗，提升材料温度稳定性。

行业发展仍面临不少挑战。GaN 外延成本依旧偏高，器件良率有待持续提升，导致射频模组整体价格居高不下，限制大规模商用。射频电路设计门槛高，需要深厚电磁仿真、热仿真能力，设计人才稀缺。同时射频器件国际合规审查严格，跨国销售面临较多贸易管制条款。卫星通信领域应用对电路可靠性要求极致，必须经历长时间太空环境可靠性验证，产品认证周期漫长。

市场机构预测，2026 至 2030 年全球 GaN 射频器件市场年复合增长率超过 27%，带动配套高频微波电路板、射频无源器件市场同步增长。全球各国都在布局第三代半导体赛道，GaN、SiC 不再只是单纯半导体材料竞争，而是材料、器件、电路设计、封装、热管理全链条的综合比拼。SweGaN 本轮融资代表欧洲持续加码宽禁带赛道，试图在射频电路领域打造本土供应链，全球功率与射频电子电路产业格局正在迎来新一轮重塑。