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存储芯片行业迎来周期上行通道,长鑫、长江存储产能释放推动存储产业自主化

存储芯片行业迎来周期上行通道,长鑫、长江存储产能释放推动存储产业自主化

存储芯片包含 DRAM 内存与 NAND 闪存两大核心品类,是电子设备必不可少的基础芯片,广泛应用于 AI 服务器、个人电脑、智能手机、固态硬盘、数据中心存储阵列等产品,具备极强的周期性行情特征。经历前两年的库存去化、价格低谷期,2026 年全球存储芯片行业正式进入新一轮周期上行阶段,下游 AI 算力集群带来 HBM 高带宽内存、大容量普通 DRAM 刚需暴涨,企业库存降至健康水位,存储产品价格持续回暖,叠加国内长鑫 DRAM、长江存储 NAND 闪存产能稳步爬坡量产,我国存储产业逐步打破三星、SK 海力士、美光、铠侠四家海外厂商的长期垄断格局。
需求端形成双重增长逻辑,传统消费电子、PC、服务器常规存储需求稳步复苏,库存补库行为带动现货价格小幅回升;AI 算力产业爆发成为存储行业最强增长引擎,单台 AI 服务器搭载 HBM 显存容量远高于传统服务器,同时搭配大容量 DDR5 内存模组,算力建设带来海量 DRAM 增量需求,HBM 产品长期处于供不应求状态,价格持续坚挺走高。各大云厂商为保障算力集群稳定运行,提前锁价锁定长期存储供货订单,头部存储大厂资本开支向 HBM 高端存储产能倾斜,优先扩充高端高附加值存储产品产能,普通存储产能扩产节奏相对保守,供需格局持续收紧,支撑存储价格稳步上涨。
海外四大原厂把控全球八成以上存储芯片产能,拥有完整的设计、制造、封装一体化能力,依靠规模效应占据成本优势。国内存储产业以长鑫科技、长江存储两大国家级存储基地为核心,长鑫 DRAM 产能持续释放,产品完成主流服务器、消费级内存颗粒验证,科创板上市后募资加码二期、三期产线建设,持续缩小与海外龙头的制程差距;长江存储 3D NAND 闪存稳步迭代堆叠层数,Xtacking 架构持续优化产品读写性能与良品率,国产固态硬盘颗粒市场占有率逐年提升,消费级 SSD 领域国产闪存已经实现大范围商用。两大存储龙头量产供货直接改变国内存储完全依赖进口的局面,保障国内服务器、终端设备存储供应链安全。
存储配套产业链同步完善,存储专用晶圆设备、抛光材料、光刻胶、检测设备被持续导入存储产线,存储封测、模组封装本土企业承接大量代工订单,存储模组、固态硬盘本土厂商市场竞争力不断增强。不过客观来看,国内存储芯片在先进制程迭代、良率管控、高端 HBM 存储产品研发、存储控制固件算法方面和国际巨头仍旧存在差距,高端企业级存储芯片依旧以进口产品为主。
存储行业周期性波动无法彻底规避,但 AI 带来的算力存储需求属于长期刚性增量,能够平滑传统消费市场的周期波动。国内存储企业应当稳步提升产能规模,持续优化工艺良率降低生产成本,优先抢占国内政企、算力、工控领域存储采购市场份额。依托庞大的国内内需市场完成技术迭代与产品验证,逐步向高端企业级、算力级存储产品突破,构建自主可控、具备全球竞争实力的完整存储产业体系。
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